只使用國產(chǎn)設(shè)備，我們究竟能生產(chǎn)多少納米的芯片？

眾所周知，芯片制造工藝非常復(fù)雜，牽涉到幾百種材料、幾百種設(shè)備，還有上千道工序。毫不夸張的說，半導(dǎo)體工藝，應(yīng)該是全球最復(fù)雜的工藝，牽涉到的供應(yīng)鏈也全球最復(fù)雜。

而在這些供應(yīng)鏈中，美國壟斷了EDA、半導(dǎo)體設(shè)備，日本壟斷了半導(dǎo)體材料，荷蘭壟斷了光刻機……而我們在供應(yīng)鏈中，并不占優(yōu)勢，所以美國針對中國芯片產(chǎn)業(yè)，進行了圍堵封鎖。

在這樣的情況之下，我們必須要做的事情就是，建立國產(chǎn)供應(yīng)鏈，慢慢減少對外依賴。

而這個國產(chǎn)供應(yīng)鏈中，半導(dǎo)體設(shè)備是必不可少，且非常重要的一環(huán)，因為美國禁令之下，針對半導(dǎo)體設(shè)備的限制越來越嚴(yán)，從之前的7nm，限制到了14nm，甚至有些奔40nm去了。

那么問題就來了，目前情況之下，如果只使用國產(chǎn)設(shè)備，不依賴美國、日本、荷蘭等國外的設(shè)備，我們究竟能生產(chǎn)多少納米的芯片？

芯片制造分為三個主要步驟，晶圓制造，前道工序，后道工序。

晶圓制造這一塊，不用多說，指的是從砂子變成硅晶圓的過程，這一塊我們能夠利用國產(chǎn)設(shè)備，制造出300mm的硅晶圓出來，而300mm晶圓，可以用于2nm、1nm，所以這一塊不用太去考慮。

重點是前道工序，這里指的是將芯片電路圖，通過光刻的手法，刻錄到硅晶圓上，需要用到光刻、刻蝕機、清洗機、離子注入等過程，而主要的、核心的半導(dǎo)體設(shè)備，也主要使用在這一個過程中。

如上圖所示，這些產(chǎn)導(dǎo)體設(shè)備中，國產(chǎn)的技術(shù)水平參差不齊，最先進的刻蝕機等，實際達到了5nm，甚至是3nm，但有些還處于14nm，有些在28nm，甚至還有在65nm的。

遵循木桶理論，實際水平取決于最短的那一塊，也就是光刻機，所以如果只使用國產(chǎn)設(shè)備，理論上最高也就是65nm的水平。

但這還只是理論水平，還牽涉到實際應(yīng)用，包括這些設(shè)備的配套，生產(chǎn)線的調(diào)整、甚至生產(chǎn)控制軟件等，能不能達到65nm，還是未知數(shù)……

再說說后道工序，這一塊其實是封裝測試這一塊，這一塊相對也不是那么的核心，且國內(nèi)在封測上一直處于全球頂尖水平，也不用太過于緊張。

可見，綜合起來看，理論上來講，只使用國產(chǎn)設(shè)備，不依賴任何進口，國產(chǎn)半導(dǎo)體應(yīng)該是65nm左右的水平，但實際應(yīng)用下，能達到多少，誰也不清楚，但應(yīng)該不會比65nm更強。