除光刻機外，國產芯片設備替代突破三成，海外芯片設備行業后悔莫及

2023年除了中國芯片大舉替代進口之外，在芯片設備行業也在加快國產替代，業界預估2023年中國芯片制造行業除了光刻機之外，其他芯片設備的國產替代率已超過三成，而且這種替代趨勢將不可逆轉。

這幾年美國除了在芯片方面限制對中國供應之外，在芯片設備方面也多方阻撓，其中最為人所熟知的當屬光刻機，美國先是阻止EUV光刻機賣給中國企業，后來又阻止14納米以下的DUV光刻機，再之后連28納米以下的光刻機也不行了。

后來美國又拉攏日本，日本也極為積極，限制了23種芯片設備和材料對中國出口，試圖借此卡住中國在芯片制造方面的發展，借此扼殺中國芯片，然而中國芯片設備行業卻迎來了幾年的快速增長期。

中國在刻蝕機、光刻膠、封裝等方面都已達到5納米，這是中國進展最快的芯片制造環節，這些相關的企業這幾年也取得了年增50%乃至翻倍的業績，凸顯出國內芯片制造企業大舉采購國產芯片設備和材料。

如今中國在芯片制造方面最后一個技術難關就是光刻機，畢竟光刻機極為復雜，還需要諸多產業鏈企業配合，ASML制造的EUV光刻機就需要全球5000家企業配合，不過這幾年哈工大、上海微電子等研發機構或企業在聯合攻關，陸續取得了一些關鍵技術的突破，假以時日，可以實現7納米工藝的浸潤式光刻機將必然被攻破。

芯片制造逐漸達到瓶頸也為中國芯片設備和材料提供了機會，業界都清楚現有的硅基芯片技術極限就是1納米，而越接近1納米，工藝進展就越慢，臺積電的3納米量產就被延遲一年，而且量產之后良率也低至55%，遠無法與此前其他幾代芯片制造工藝相比。

芯片設備方面也已難以突破，ASML就認為2納米EUV光刻機將是它最后一代光刻機，它也不知如何進一步突破極限了，這都為中國研發先進的芯片設備和材料提供了時間，由此中國的芯片設備趕上全球先進水平可能性也在加大。

中國芯片行業同時也基于現有的設備開發先進工藝，據稱某科技企業的7納米芯片就是國內芯片行業共同努力的結果，以現有的DUV光刻機量產7納米工藝，甚至近期有消息指中國基于現有設備已開發出5.5納米工藝。

除了繼續發展硅基芯片技術之外，中國芯片行業正積極發展量子芯片、光子芯片等技術，這些全新的芯片技術所需要的設備都是空白，中國在這些先進芯片設備方面更是與全球站在同一起跑線上，合肥本源量子就指出它研發的量子芯片所有的芯片設備都是自研，這些先進芯片技術一旦商用，中國芯片行業更將完全無需海外的芯片設備。

可以說美國這幾年的施壓，固然給中國芯片行業帶來壓力，但是同時也是促進技術發展的動力，在這種巨大的壓力下，中國芯片行業這幾年迸發出巨大的能量，所取得的進展超過了過去20年間的成就，促進了國產芯片的自立自強。