臺積電稱無需ASML新機即可制造下一代芯片

中國臺灣芯片制造商臺積電提供了一個新選項，說不一定需要使用ASML為下一代芯片制造技術A16推出的下一代“高NA EUV”機器，該技術將于2026年下半年開發。

高數值孔徑光刻工具預計將有助于將芯片設計縮小多達三分之二，但芯片制造商必須權衡這一優勢與更高的成本，以及 ASML 的成熟技術是否更可靠、足夠好。

臺積電的Kevin 張在阿姆斯特丹的一次會議上發表講話時表示，該公司的 A16 工廠的設計有可能適應該技術，但這還不確定。全球最大的合約芯片制造商臺積電是 ASML 常規 EUV 機器的最大用戶。

“我喜歡這項技術，但我不喜歡標價”，Kevin 張告訴記者。臺積電的A16節點將跟隨其2納米生產節點，預計于2025年進入量產。

“當高數值孔徑 EUV 真正發揮作用時，我認為這取決于我們可以實現的最佳經濟和技術平衡，”他說。

每個高 NA 工具的成本預計將超過 3.5 億歐元（3.78 億美元），而 ASML 常規 EUV 機器的成本為 2 億歐元。

ASML 是歐洲最大的科技公司，主導著光刻系統市場，光刻系統是使用光束幫助創建芯片電路的機器。光刻是芯片制造商用來改進芯片的眾多技術之一，但它是芯片上的功能可以有多小的限制因素——更小意味著更快、更節能。

在臺積電還在猶豫的時候，英特爾已經買下了High NA EUV的所有供應。

根據韓媒TheElec報道，截至明年上半年，英特爾已獲得 ASML 生產的大部分高數值孔徑極紫外 (EUV) 設備。

消息人士稱，這家荷蘭晶圓廠設備制造商今年將生產五套該套件，這些套件將全部供應給這家美國芯片制造商。他們表示，由于 ASML 高數值孔徑 EUV 設備的產能約為每年 5 至 6 臺，這意味著英特爾將獲得所有初始產能。英特爾正在俄勒岡州工廠啟動并運行第一臺高數值孔徑機器，但預計要到 2025 年才能全面投入運行。

為了贏得客戶，英特爾比競爭對手更快地采用高數值孔徑 EUV。該公司于 2021 年重新進入代工市場，但去年該業務虧損 70 億美元。在最近，他們更是將公司的晶圓代工業務負責人更換為經驗豐富的Kevin O'Buckley。

資料顯示，O'Buckley 加入英特爾時擁有超過 25 年的半導體行業經驗。在此之前，他擔任 Marvell Technologies 定制、計算和存儲事業部硬件工程高級副總裁。更早之前，他擔任Global Foundries 的產品開發副總裁，然后隨著Marvell在2019 年收購 Avera Semiconductor ，他加入 Marvell，并擔任業務負責人。在更早之前，他在 IBM 技術開發和制造組織工作了 17 年多。O'Buckley 擁有阿爾弗雷德大學電氣工程理學學士學位和佛蒙特大學電氣工程理學碩士學位。

關于High NA EUV的應用，英特爾院士兼英特爾代工邏輯技術開發光刻、硬件和解決方案總監表示：“隨著高數值孔徑 EUV 的加入，英特爾將擁有業界最全面的光刻工具箱，使該公司能夠在本十年后半段推動超越英特爾 18A 的未來工藝能力。”

英特爾上個月表示，它已成為第一家組裝 ASML 新型高 NA EUV 光刻工具的公司，這是這家美國計算機芯片制造商超越競爭對手的重要組成部分。英特爾下單訂購了最新High-NA EUV光刻機Twinscan EXE：5200，并于2023年12月底將第一臺機器運往美國俄勒岡州的一家工廠。

之前，英特爾購買了ASML的EUV設備Twinscan EXE：5000，英特爾正在使用它來學習如何更好地使用High-NA EUV設備，并用于18A制程工藝技術研發，獲得了寶貴的經驗，該公司計劃從 2025 年開始使用Twinscan EXE：5200量產18A制程芯片。

配備 0.55 NA鏡頭的 High-NA EUV 光刻設備可實現 8nm 的分辨率，與配備 0.33 NA（Low-NA）鏡頭的標準 EUV相比，進步顯著，該鏡頭提供 13nm 分辨率。預計高數值孔徑技術將在后 2nm 級工藝技術中發揮至關重要的作用，這些技術要么需要使用低數值孔徑 EUV 雙重圖案化，要么需要使用高數值孔徑 EUV 單圖案化。

由于高數值孔徑光刻機與低數值孔徑光刻機有許多不同之處，需要對基礎設施進行大量更改，因此，在競爭對手之前部署Twinscan EXE：5200對英特爾來說是一個優勢。一方面，英特爾將有足夠的時間來調整其后18A工藝技術，另一方面，該公司將為自己調整High-NA基礎設施，這將使其比競爭對手更具優勢。