前途末路！ASML陷入“工藝陷阱”，EUV光刻機走進了死胡同？

自從芯片產(chǎn)業(yè)的制造，采用光刻方式之后，光刻機就成為了不可或缺的設備之一。

而當光刻進入浸潤式時代后，ASML抱著臺積電大腿，豪賭浸潤式，徹底崛起，將尼康、佳能等遠遠的甩在了身后，真正一家獨大。

如今在浸潤式光刻機領域，ASML份額超過90%，而在EUV光刻機領域，ASML的份額達到100%。

ASML不斷的升級機器，第一代浸潤式，升級為第二代浸潤式、第三代浸潤式……

EUV光刻機也是如此，普通EUV，第一代EUV，NA=0.33的低數(shù)值孔徑EUV光刻機，再NA=0.55的高數(shù)值孔徑EUV光刻機……

而晶圓廠，不斷的追求更先進的工藝，從7nm到5nm，再到3nm，于是也得跟著ASML的腳步走，一代又一代的升級光刻機，將自己的舊光刻機更新?lián)Q代……

除非你的工藝不進步了，死守28nm或14nm或XXnm，呆在原地不動，否則就要跟著ASML走……

直到ASML推出最新的NA=0.55高數(shù)值孔徑EUV光刻機，也就是High-NA EUV光刻機，型號為EXE：5200的光刻機后，大家發(fā)現(xiàn)不對了，ASML說這是用于2nm及以下的芯片制造的。

因為這種光刻機實在是太貴了，售價高達3.5億歐元（約合27億元人民幣），大小約等于一輛雙層巴士，重量高達150噸，也就是150000KG，安裝需要ASML派250名工程師，6個月的時間。

買這種光刻機，成本太高了，拿臺積電為例，如果將現(xiàn)有的100多臺EUV光刻機，全換成這種，需要近3000億的換代成本。

臺積電也受不了啊，于是近日臺積電做了一個決定，暫時不買這種High-NA EUV光刻機，要基于原來的NA=0.33的光刻機，進行技術改進。

臺積電認為，哪怕是采用舊的光刻機，應該也是可以實現(xiàn)2nm甚至2nm以下芯片制造的，哪怕良率低一點點，流程稍微復雜一點點，也會比投資幾千億來換新EUV光刻機成本更低。

而一旦臺積電不買這種新光刻機，那么ASML可能就會是到麻煩了，甚至可能是“末路”，因為臺積電一直是其EUV光刻機最大的客戶，如果臺積電不買，誰來買？intel、三星？估計這倆一旦看到臺積電不買，也會學臺積電的技術路線。

而成熟工藝的光刻機，比如DUV等，因為本身價格不貴，利潤也不是很高，且競爭也大，只有EUV光刻機沒競爭，才是ASML賺錢的根本啊。

可以說現(xiàn)在ASML是陷入了“工藝陷阱”了，如果跨不過去，可能就是末路，前路一片迷茫，因為芯片工藝逼近物理極限，EUV光刻機也就走進死胡同，花更高的成本去更新也無人買單了。