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2024年全球半導體晶圓廠產能可望增長6%

2024-06-21 來源:國際電子商情
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關鍵詞: 半導體 晶圓 人工智能

季度報告顯示,為了跟上芯片需求持續增長的步伐,全球半導體制造業的產能可望在2024年提高6%,2025年提高7%,達到每月3370萬片晶圓(wpm:8英寸當量,下同)的歷史最高產能。


2024年,5納米及以下節點的前沿產能預計將增長13%,主要驅動力是用于數據中心訓練、推理和前沿設備的生成式人工智能(AI)。為了提高處理能效,包括英特爾、三星和臺積電在內的芯片制造商準備開始生產2nm全柵極(GAA)芯片,這將使2025年的前沿總產能增長17%。


SEMI總裁兼首席執行官Ajit Manocha表示:"從云計算到邊緣設備,人工智能處理的普及正在推動高性能芯片的開發競賽,并推動全球半導體制造產能的強勁擴張。"這創造了一個良性循環:人工智能將推動半導體內容在各種應用領域的增長,而這反過來又會鼓勵進一步的投資。"


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各國家/地區產能擴張情況

中國大陸芯片制造商的產能預計將保持兩位數增長,繼2024年增長15%至885萬片之后,2025年將增長14%至1010萬片,接近行業總產能的三分之一。盡管存在超額增長的潛在風險,但該地區仍在繼續積極投資擴大產能,部分原因是為了減輕近期出口管制的影響。包括華虹集團、力晶、西安集成、中芯國際和DRAM制造商CXMT在內的主要晶圓代工供應商都在大力投資,以提高該地區的半導體制造能力。


預計到2025年,大多數其他主要芯片制造地區的產能增長將不超過5%。預計2025年中國臺灣的產能將達到580萬wpm,增長率為4%,位居第二;而韓國預計明年將位居第三,在2024年首次突破500萬wpm大關后,產能將擴大7%,達到540萬wpm。日本、美洲、歐洲和中東以及東南亞的半導體生產能力預計將分別增長470萬wpm(同比增長3%)、320萬wpm(同比增長5%)、270萬wpm(同比增長4%)和180萬wpm(同比增長4%)。


代工、HBM迎產能擴張潮

主要受英特爾建立代工業務和中國產能擴張的推動,代工領域的產能預計將在2024年和2025年分別增長11%和10%,到2026年達到1270萬wpm。


為滿足人工智能服務器對更快處理器不斷增長的需求,高帶寬內存(HBM)得到迅速采用,這推動了內存領域前所未有的產能增長。人工智能應用的爆炸式增長推動了對更密集的HBM堆棧需求的增長。作為回應,領先的DRAM制造商正在增加對HBM/DRAM的投資。預計2024年和2025年DRAM容量都將增長9%。


相比之下,3D NAND市場復蘇依然緩慢,預計2024年產能不會增長,2025年預計增長5%。


邊緣設備中人工智能應用的興起預計將使主流智能手機的DRAM容量從8GB增加到12GB,而使用人工智能助手的筆記本電腦將至少需要16GB的DRAM。人工智能向邊緣設備的擴展也將刺激對DRAM的需求。



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