Vishay推出先進(jìn)的30 V N溝道MOSFET，進(jìn)一步提升隔離和非隔離拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)功率密度和能效
賓夕法尼亞、MALVERN — 2021年5月25日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.推出多功能新型30 V n溝道TrenchFET第五代功率MOSFET---SiSS52DN，提升隔離和非隔離拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)功率密度和能效。Vishay Siliconix SiSS52DN采用熱增強(qiáng)型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK? 1212-8S封裝，10 V條件下導(dǎo)通電阻僅為0.95 mW，比上一代產(chǎn)品低5 %。此外， 4.5 V條件下器件導(dǎo)通電阻為1.5 mW，而4.5 V條件下導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積，即MOSFET開(kāi)關(guān)應(yīng)用重要優(yōu)值系數(shù)(FOM)為29.8 mW*nC，是市場(chǎng)上優(yōu)值系數(shù)最低的產(chǎn)品之一。
SiSS52DN的FOM比上一代器件低29 %，從而降低導(dǎo)通和開(kāi)關(guān)損耗，節(jié)省功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的能源。
SiSS52DN適用于同步整流、同步降壓轉(zhuǎn)換器、DC/DC轉(zhuǎn)換器、開(kāi)關(guān)柜拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)、OR-ring FET低邊開(kāi)關(guān)，以及服務(wù)器、通信和RF設(shè)備電源的負(fù)載切換。MOSFET可提高隔離和非隔離拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的性能，簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)人員兩種電路的器件選擇。器件經(jīng)過(guò)100 % RG和UIS測(cè)試，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，無(wú)鹵素。
