ASML心慌慌？華為入股！國產光刻機“破冰”穩了？
近段時間，光刻機國產化這一話題被媒體和市場再度熱炒。從不久前“2021年中國企業未來發展論壇”上北大教授林毅夫關于“ASML慫了”的驚人言論，到近日華為哈勃宣布入股科益虹源的重磅消息，再度激發了國人對光刻機的“情結”，關于國產光刻機“穩了”的觀點甚囂塵上。
暫且不論國產光刻機是否真的“穩了”。僅從近期的兩大事件本身來看，其中之一的北大教授林毅夫發表的“ASML首席執行官擔心不把光刻機賣給中國，3年后中國就會自己掌握這項技術，根據過去的經驗，只要掌握這個技術，ASML就可能會退出世界光刻機市場?！毖哉摚坪蹙陀行┻^于激進而不務實。
林毅夫表示：“清華大學突破的SSMB光源，經過后續的研發升級，達到EUV光源的效果并不難；而研制光刻機所需要的真空、蔡司鏡頭、機床等技術，雖然掌握在美國、德國、瑞士等手里，可并不意味著國內設備廠商研發不了，市場決定一切，何況我們擁有全球最大的市場?！?/p>
乍一看，似乎極為振奮人心，再加上近日華為哈勃宣布入股光刻機光源系統供應商科益虹源的重磅消息，似乎ASML真的“心慌慌”，國產光刻機“破冰”已經穩了？
三年讓ASML退出市場！SSMB光源真那么強？
顯然，三年就想讓ASML退出世界光刻機市場的觀點，在很多理性人士看來，實在是可笑至極。當然，這其中不乏一些“虛張聲勢”的韻味，目的其實還是為了促進ASML能加緊與中國企業之間的合作。但這種“信手拈來、煽風點火”的觀點，在輿論場發酵之后，對整個國內半導體行業的穩步發展實際上并無好處，相反還會加重整個產業的包袱和壓力，令本就激進的行業風氣變得愈發“浮躁”不堪。
實際上，林毅夫提到的“SSMB光源”，來自于今年2月，一則“清華大學的一項研究登上最新一期國際頂刊《自然（Nature）》”的消息，論文名為《穩態微聚束原理的實驗演示（Experimental demonstration of the mechanism of steady-state microbunching）》，該項目除清華大學唐傳祥研究組外，還有亥姆霍茲柏林材料與能源研究中心（HZB）及德國聯邦物理技術研究院（PTB）參與研究，可以說算是一個國際合作的項目。
《穩態微聚束原理的實驗演示（Experimental demonstration of the mechanism of steady-state microbunching）》論文導讀部分（圖片來源：Nature）
消息一出，就引發了國內輿論針對SSMB光源的大肆討論，非理性的大部分觀點都認為，這項技術對于國產光刻機的技術推進是極大的助力，有了SSMB光源，國產光刻機似乎不必懼怕ASML的EUV壟斷了，畢竟論文中似乎提到了SSMB可能被用作未來大功率EUV技術的光源的信息。
但實際上，這篇論文的正文內容只是一篇典型的關于同步輻射和粒子加速器的文章，主要的貢獻也在這些方面，對于光刻機光源而言，該文的貢獻是相當次要的。有閱讀過該文獻的人士曾表示，除了引言和引用之外，這篇沒有任何其他位置提到EUV（極紫外線）或者光刻（lithography）。
而從技術原理層面來分析，目前主要的兩種加速器光源是同步輻射光源與自由電子激光。同步加速器的光源平均功率較高，單位時間內產生的光子數目較多，但是帶寬較高。自由電子激光器所發出的光脈沖，則具備帶寬小、亮度高的優點，其亮度比同步加速器高100億倍，功率相比同步加速器卻比較小。兩種光源各有利弊，而SSMB技術就是一種彌補兩種光源差距、整合其優點的技術方案。且相比目前的EUV光源，SSMB光源最大的優勢是能實現較大的理論功率。功率的增強有利于在保證線寬粗糙度的同時，提高光刻分辨率，進而縮小制程，同時也有助于降低成本。
SSMB原理驗證實驗示意圖（圖片來源：《Nature》）
不過，針對SSMB光源在助力中國實現EUV光刻機的自主研發話題上，即便是唐傳祥的回答也相當保守與克制，只提到了：“基于SSMB的EUV光源有望解決自主研發光刻機中最核心的‘卡脖子’難題。但是，EUV光刻機的自主研發還有很長的路要走，這需要SSMB EUV光源的持續科技攻關，也需要上下游產業鏈的配合，才能獲得真正成功?！备螞r，SSMB技術當前仍要面對其他加速器光源技術的競爭，且僅僅只處于非常理論性的階段，真正要打通上下游產業鏈談何容易？
況且，實際上國際上對SSMB光源的關注度也并沒有預想的那么大。即便是有國外學者Bakshi· V編寫的《極紫外光刻》（第二版）中提到過“SSMB光源的潛在應用之一就是作為未來EUV光刻機的光源”。這本多達十章的書中，有整整一章又分為3A和3B專門講的就是光源。書中介紹了數十種光源技術，SSMB只有其中一小部分，篇幅占比更多的光源技術在十種以上。但其實，國外的主流媒體也鮮有針對SSMB技術的報道，這項技術未來的實際價值只有在國內進一步獲得實踐之后才能知道。
最終究竟能否真正有理論上述說的那般價值，甚至在產業化和市場化層面比當前紅極一時的EUV更有優勢，仍有待商榷。況且，有業內觀點表示，目前SSMB光源還未能實現工業化，按照傳統EUV的發展時間減半估計，大約需要14-15年才能達到EUV目前的水平。更何況發展SSMB光源本身也有風險，同時EUV乃至于更低波長的紫外光源的發展不一定停滯不前。
華為入股科益虹源之后 國產光刻機能否“破冰”？
入股科益虹源，對于華為來說的確具備很大的戰略價值。在華為哈勃入股之前，科益虹源似乎并不為人所知，在產業界也相當低調。據悉，該公司的控股股東實際上是中科院微電子所，持股26.6%，主要業務就是光刻機中的三大核心技術之一的光源系統，是國內第一、全球第三的193nm ArF準分子激光器企業。
而且，科益虹源還承擔了“02重大專項浸沒光刻光源研發”、“02重大專項核心零部件國產化能力建設”、“02重大專項集成電路晶圓缺陷檢測光源”等國家專項。此外，科益虹源也是國產光刻機廠商上海微電子的光源系統供應商。此前消息也顯示，科益虹源還將與上海微電子整機單位共同完成28nm國產光刻機的集成工作。
但即便是獲得了華為哈勃的入股，光刻機尤其是現今與國際接軌的先進EUV光刻機的國產自研，依然是長路漫漫。從EUV的突破歷史來看，事實上，中國長春光機所和美國的英特爾在90年代都盯上了EUV技術。當時，英特爾說服了美國政府，由英特爾和美國能源部牽頭，集合了當時還如日中天的摩托羅拉以及AMD，還有美國三大國家實驗室，集合幾百位頂級科學家成立了EUV LLC組織。
但一直到2017年，英特爾攻克了EUV技術障礙，才讓ASML成功制造出EUV光刻機，整個過程幾乎耗費了幾十年的時間，而且是在得天獨厚的全球供應鏈優勢，以及不需要擔心中途“被斷供”的優渥條件下，可想而知這個技術難度究竟有多大。
相比之下，中國的條件相對艱苦且資源稀缺，長春光機所在國家的支持下，也是直到2017年才算是在“極紫外光刻關鍵技術研究”中取得了一定的突破，建立了較為完善的曝光光學系統關鍵技術研發平臺。但是許多最頂級的零件我們依然無法獲取，而且在光刻氣體、高端光刻膠、系統設計、光學鏡頭等先進技術的積累上也十分欠缺，牽扯的產業鏈也紛繁復雜，想要全部悉數獲得國產自主的突破絕非易事。
因此，這不僅僅只是資金和人才的問題，更是跨界的產業鏈能否真正互通融合來攻堅克難的問題。華為的入局只能算是給產業強化實力，但論及“破冰”，還遠遠談不上。
國產替代需要循序漸進，而非盲目吹捧
由這些事件也可以看出，如今國家層面推行半導體“國產替代”政策，為艱難前行的本土半導體產業頻送東風，本就是一件好事。但近些年，由于資本“熱錢”的瘋狂涌入，國內半導體產業也出現了越來越多的連環“暴雷”的案例，從德淮半導體、廣州海芯、陜西坤同、德科碼到震驚全國的武漢弘芯、濟南泉芯等一大批本來很優質的半導體項目，都難逃“芯騙”們的毒手，淪為圈內人私下的談資。
無論是德淮半導體、廣州海芯、陜西坤同、德科碼還是武漢弘芯、濟南泉芯，編者相信這僅僅只是當前國內在激進國產替代之下的冰山一角，還有更多已經爛尾甚至正在爛尾路上的項目由于種種原因并未被曝光。
更不必談如今國內越來越多的“意見領袖”，打著為國產替代“正名”的幌子，大肆采用“沸騰體”來煽風點火，實則是為了“圈錢”和“騙補”，讓國家來為其買單。這不僅對國家經濟和資源是一種嚴重的浪費和損害，更給國內半導體產業的發展平添了“浮躁”的氛圍。
長期下去，影響是極為惡劣的。一方面，國內越來越多想賺快錢的投資機構可能瘋狂涌入半導體圈，給本質上只能循序漸進、穩扎穩打的半導體企業們更大的壓力，這會持續引導一些本就不成熟的創始團隊走向錯誤的路線，最終被市場快速淘汰、消亡。
另一方面，也會讓本來想低調處事的很多優質半導體公司不得不高調起來，頻繁露面，為一些流言蜚語而發聲，自證清白。這不僅進一步提升了很多企業的運營成本和壓力，同時也使得這些優質本土公司成為當下美歐等國頻繁打擊和制裁的對象，總體來說于國家半導體產業的自主發展大計頗為不利。
小結：
綜上所述，無論是當下處于輿論漩渦中的光刻機國產化，還是越來越多被提到的國內半導體爛尾項目，都充分說明了中國半導體產業的獨立自主是需要循序漸進、穩扎穩打的過程，而非盲目吹捧、無底線營銷。后者不僅會從底部腐蝕掉半導體國產化已經筑牢的根基，還可能會讓狂風驟雨中奮力前行的半導體國產化“巨輪”駛向錯誤的航線，讓中國半導體的國產化“錯失下一個十年”。
