JSM5109B MAX250V 1.2A單相高低側(cè)功率MOSFET/IGBT驅(qū)動芯片
關(guān)鍵詞： JSM5109B 功率MOSFET驅(qū)動芯片 高低側(cè)驅(qū)動 產(chǎn)品特性 應(yīng)用范圍
JSM5109B
在工業(yè)控制、電機(jī)驅(qū)動、逆變器設(shè)計等場景中，功率器件驅(qū)動芯片的穩(wěn)定性與兼容性直接影響系統(tǒng)性能。當(dāng)你還在為 LM5019B 的采購成本、供貨周期發(fā)愁時，JSM5019B來了 —— 這款由 杰盛微推出的高低側(cè)功率 MOSFET/IGBT 驅(qū)動芯片，不僅完美兼容 LM5019B，更在性能與可靠性上實現(xiàn)升級，為你的設(shè)計提供高性價比替代方案！
一、概覽
JSM5109B是一款高壓、高速功率 MOSFET 高低側(cè)驅(qū)動芯片。具有獨(dú)立的高側(cè)和低側(cè)參考輸出通道。JSM5109B邏輯輸入電平兼容低至 3.3V的 CMOS或 LSTTL 邏輯輸出電平，輸出具有大電流脈沖能力和防直通的死區(qū)邏輯。
JSM5109B其浮動通道可用于驅(qū)動高壓側(cè) N 溝道功率 MOSFET，浮地通道最高工作電壓可達(dá) 250V，該浮動通道需要額外的自舉電路支持。另外，JSM5109B的高側(cè)與低側(cè)均包含有欠壓保護(hù)功能。JSM5109B采用SOP-8封裝，可以在-40℃至125℃溫度范圍內(nèi)工作
二、產(chǎn)品特性
自舉工作的浮地通道
最高工作電壓為+250V
兼容 3.3V, 5V 和 15V 輸入邏輯
dVs/dt 耐受能力可達(dá)±50 Vins
Vs 負(fù)偏壓能力達(dá)-9V
柵極驅(qū)動電壓從6V到 20V
集成欠壓鎖定電路
--欠壓鎖定正向閩值 5.5V
--欠壓鎖定負(fù)向閩值 5V
防直通死區(qū)邏輯
--死區(qū)時間設(shè)定200ns
芯片傳輸廷時特性
--開通/關(guān)斷傳輸延時 Ton/Toff =150ns/140ns
--延遲匹配時間 50ns
寬溫度范圍-40°C~125°C
輸出級拉電流/灌電流能力 1.2A/1.5A
符合 RoSH 標(biāo)準(zhǔn)
SOIC8 (S)
三、應(yīng)用范圍
電機(jī)控制
空調(diào)/洗衣機(jī)
通用逆變器
微型逆變器驅(qū)動
四、技術(shù)參數(shù)詳解：硬核實力看得見
1. 極限工作范圍
超過極限最大額定值可能造成器件永久性損壞。所有電壓參數(shù)的額定值是以 VSS 為參考的，環(huán)境溫度為 25℃。
2. 推薦工作范圍：
為了正確地操作，器件應(yīng)當(dāng)在以下推薦條件下使用。Vs和 VSS 的偏置額定值是在電源電壓為 15V 時進(jìn)行測量的，無特殊說明的情況下，所有電壓參數(shù)的額定值是以 VSS為參考的，環(huán)境溫度為25℃。
五、引腳功能描述
六、功能框圖
