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賽晶科技自主技術IGBT生產線進入試生產階段

2021-06-24 來源:中國證券報& 中證網
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      賽晶科技6月23日晚公告,旗下子公司賽晶亞太半導體科技(浙江)有限公司于6月23日舉行了絕緣柵雙極晶體管(IGBT)生產線竣工投產儀式。這標志著其IGBT生產線進入試生產階段。

  賽晶科技董事會主席項頡表示:“一旦公司產品批量供貨,項目產能釋放,有望幫助市場與企業解決缺貨問題,緩解國內供需失衡的現狀。同時,公司會加快IGBT系列產品的研發、推進后續生產線的建設,力爭盡早讓賽晶品牌IGBT出現在千千萬萬的電動汽車、風力發電、光伏發電、工業變頻設備中。”

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  據了解,目前中國大陸處于功率半導體器件供應鏈的相對末端,產品以二極管、晶閘管、低壓 MOSFET等低功率半導體器件為主,中高端功率MOSFET和IGBT自給率不足10%,而功率半導體是未來可預見的自主可控進度最快的細分領域之一。其中,IGBT被視為電力領域的“CPU”,對新能源汽車、軌道交通、智能電網、節能環保等眾多國家戰略性新興產業的發展具有重要意義。

  賽晶科技IGBT項目規劃建設2條IGBT芯片背面工藝生產線,5條IGBT模塊封裝測試生產線,建成后年產能將達到200萬件IGBT模塊產品。公司IGBT產品應用將涵蓋600V至1700V的中低壓領域,面向電動汽車、光伏風電、工業變頻等市場。

  賽晶科技表示,IGBT生產線的投產有助于提高公司的市場競爭力,對未來的經營業績帶來積極影響。由于生產線從投產到達產尚需一定時間,預期產能的釋放需要過程;同時,短期內還有固定成本增加的壓力,投資者應注意投資風險。



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