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SK海力士開始使用EUV大規模生產1anmDRAM

2021-07-13 來源:網絡整理
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7月12日,SK海力士官方給出消息稱,開始啟用EUV光刻機閃存內存芯片。按照官方的說法,公司的第四代10nm(1a)級工藝的 8Gigabit(Gb) LPDDR4 移動端 DRAM(動態隨機存儲器)產品已經在今年7月初開始量產。

SK海力士預計從下半年開始向智能手機廠商供應采用1a納米級技術的移動端DRAM。


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10nm級DRAM產品開始,半導體業內將每一代工藝節點都以標注字母的方式起名,第一代是1x nm、第二代是1y nm、第三代是1z nm、第四代是1a nm,SK海力士預計從今年下半年開始就可以向智能手機制造廠商供應1a nm級工藝技術的移動端DRAM產品。這次比較特別的是,SK海力士通過部分采用了EUV(極紫外)技術,完成了對其穩定性的驗證,首次使用EUV光刻設備進行量產。


SK海力士期待新技術能帶來生產力的提升,并進一步提升成本競爭力。該公司預計,與之前的1z nm節點相比,1anm 技術將使相同尺寸的晶圓生產的DRAM芯片數量增加25%。SK海力士預計,隨著全球DRAM需求的增加,1anm DRAM也可能有助于緩解全球市場的供需狀況。


SK海力士將從明年初開始將1a nm級工藝技術應用于旗下的DDR5產品。在未來,三星和美光都將啟用EUV光刻設備生產DRAM產品,但美光會更晚一些,按計劃要等到2024年。


去年SK海力士宣布斥資90億美元(約合600億元)收購Intel閃存部門,合并之后有望成為僅次于三星的第二大閃存巨頭,六大原廠將減少為五家。



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