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適用于熱插拔的Nexperia新款特定應用MOSFET (ASFET)將SOA增加了166%

2021-08-04 來源:華強電子網
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關鍵詞: Nexperia MOSFET SOA

基礎半導體器件領域的專家Nexperia今日宣布推出新款80 V和100 V ASFET,新器件增強了SOA性能,適用于5G電信系統和48 V服務器環境中的熱插拔與軟啟動應用以及需要e-fuse和電池保護的工業設備。

ASFET是一種新型MOSFET,經過優化,可用于特定應用場景。通過專注于對某一應用至關重要的特定參數,有時需要犧牲相同設計中其他較不重要的參數,以實現全新性能水平。新款熱插拔ASFET將Nexperia的最新硅技術與銅夾片封裝結構相結合,顯著增強安全工作區(SOA)并最大限度縮小PCB面積。


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以前,MOSFET深受Spirito效應的影響,導致SOA性能因在較高電壓下的熱不穩定性而迅速下降。Nexperia堅固耐用的增強型SOA技術消除了“Spirito-knee”,與前幾代D2PAK相比,在50 V時SOA增加了166%。

另一項重要改進是數據手冊中添加了125 °C SOA特性。Nexperia國際產品高級營銷經理Mike Becker表示:“以前只在25 °C時指定SOA,這意味著在高溫環境中的操作,設計師必須進行降額。我們的新款熱插拔ASFET包括125 °C SOA規范,消除了該耗時的任務,并證實了Nexperia的器件即使在高溫下也具有出色的性能。”

全新PSMN4R2-80YSE(80 V,4.2 m)和PSMN4R8-100YSE(100 V,4.8 m)熱插拔ASFET采用兼容Power-SO8的LFPAK56E封裝。該封裝獨特的內部銅夾片結構提高了熱性能與電氣性能,同時大大減小了管腳尺寸。全新的LFPAK56E產品尺寸僅為5 mm x 6 mm x 1.1 mm,與上一代D2PAK相比,PCB管腳尺寸和器件高度分別縮小80%和75%。此外,器件的最大結溫為175 °C,符合IPC9592對電信和工業應用的規定。

Becker補充道:“另外一個優點是在需要多個熱插拔MOSFET并聯使用的高功率應用中,使均流能力得到改善,從而提高了可靠性并降低了系統成本,Nexperia被廣泛認為是熱插拔MOSFET市場領導者。憑借這些最新的ASFET,我們再一次提高了標準。”

新款熱插拔ASFET是最新器件,將在Nexperia位于英國曼徹斯特的新8英寸晶圓生產廠制造,已準備好批量生產。



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