意法半導(dǎo)體推出全新G-HEMT系列GaN功率半導(dǎo)體產(chǎn)品

意法半導(dǎo)體（ST）昨日宣布G-HEMT系列首款GaN 功率半導(dǎo)體產(chǎn)品（PowerGaN），能大幅降低各種電子產(chǎn)品的能量消耗并縮小尺寸；可用于充電器、PC 外接電源適配器、LED 照明驅(qū)動器、電視機(jī)等。不僅如此，該產(chǎn)品亦能用于高功率市場，像是工業(yè)驅(qū)動馬達(dá)、太陽能逆變器、電動汽車及充電器等。

ST 表示，全球消費(fèi)性電子產(chǎn)品的產(chǎn)量很大，若提升效能便可大幅減少二氧化碳排放。而氮化鎵（GaN）是一種寬禁帶化合物半導(dǎo)體材料，其電壓耐受能力優(yōu)于傳統(tǒng)硅材料，且不會影響導(dǎo)通電阻效能，故可降低開關(guān)損耗。此外，GaN 產(chǎn)品的開關(guān)效能也比傳統(tǒng)的硅基產(chǎn)品的效能高，開關(guān)頻率也可以更高，故應(yīng)用電路可采用尺寸更小的被動元件。

ST 指出，上述所有優(yōu)勢讓設(shè)計人員得以減少功率轉(zhuǎn)換器的總損耗（減少產(chǎn)生的熱）并提升效能。因此，GaN 可讓電子產(chǎn)品小型化，例如，采用GaN 的PC 電源適配器比當(dāng)今普及的充電器尺寸更小而且重量更輕。根據(jù)相關(guān)廠商的預(yù)測，使用GaN 元件后，標(biāo)準(zhǔn)的手機(jī)充電器可縮小高達(dá)40%，或于相同尺寸條件下可以輸出更高的功率。

為此，ST 推出新G-HEMT 產(chǎn)品家族首款產(chǎn)品（650V SGT120R65A），其具有120m? 最大導(dǎo)通電阻（Rds(on)）、15A 的最大輸出電流和優(yōu)化閘極驅(qū)動的開爾文接法腳位。

意法半導(dǎo)體汽車和離散元件產(chǎn)品部副總裁暨功率電晶體事業(yè)部總經(jīng)理Edoardo Merli 表示，商用GaN 產(chǎn)品是功率半導(dǎo)體的下一個戰(zhàn)場，而ST 推出隸屬STPOWER 產(chǎn)品組合之新系列的首款產(chǎn)品，為消費(fèi)、工業(yè)和汽車電源應(yīng)用帶來突破性的效能表現(xiàn)。未來ST 將逐步擴(kuò)大PowerGaN 產(chǎn)品組合，讓全球客戶都能設(shè)計出更高效、更小巧的電源。