10萬次壽命 國產38nm閃存量產：所有環節均為國內供應鏈

      2月22日，兆易創新通過官方公眾號宣布，旗下全國產化38nm SPI NAND Flash——GD5F全系列已通過AEC-Q100車規級認證。

　　兆易創新表示，該系列包含 GD5F1GQ5/GD5F2GQ5/GD5F4GQ6產品，覆蓋1Gb-4Gb容量，從設計研發、生產制造到封裝測試所有環節，均采用國內供應鏈，極大程度上填補了國產大容量車用存儲器的空白，全面進入汽車應用領域，并且兆易創新擁有強大的本地化支持和快速的客戶響應能力，加速助力汽車應用的國產化。

　　兆易創新GD5F系列SPI NAND Flash 芯片使用成熟的38nm制程工藝，采用WSON8 8mmx6mm少引腳、小型化封裝，在狹小空間內實現大容量的選擇；其內置ECC糾錯模塊，在保留NAND成本優勢的前提下，極大提高產品的可靠性；并且在-40℃~105℃的寬溫度范圍內，實現高達10萬次的擦寫性能。

　　目前，兆易創新GD5F全系列SPINAND Flash 均已通過AEC-Q100車規級認證，并且在其久經驗證的車規級GD25 SPI NOR Flash基礎上形成了有效的擴展。

　　在Flash存儲器領域，兆易創新已實現從SPI NOR Flash 到SPI NAND Flash的車規級產品的全面布局，為車載應用的國產化提供豐富多樣的選擇，這也極大凸顯了兆易創新在汽車領域持之以恒的投入和創新。

　　兆易創新GD5F SPI NAND Flash 和GD25 SPI NOR Flash車規級產品均已量產。