英飛凌推出采用PQFN 2x2封裝的OptiMOSTM 5 25 V 和 30 V功率MOSFET，樹立技術新標準
2022-03-15
來源：華強電子網
6207
3月14日，英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）近日推出了全新的采用PQFN 2 x 2 mm2封裝的OptiMOSTM 5 25 V和30 V功率MOSFET產品系列，旨在為分立功率MOSFET技術樹立全新的行業標準。這些新器件采用薄晶圓技術和創新的封裝，尺寸極小，卻具有顯著的性能優勢。OptiMOS 5 25 V和30 V功率MOSFET產品系列已針對服務器、通訊、便攜式充電器和無線充電等SMPS應用中的同步整流進行了優化。這些功率MOSFET還可在無人機中，應用于小型無刷電機的ESC(電子速度控制)模塊。眾所周知，無人機通常需要尺寸小、重量輕的元器件。
這些領先的功率MOSFET器件采用PQFN 2x2封裝，具備更高的功率密度、小巧的外形尺寸以及業界極低的導通電阻，能夠進一步降低能耗。2 x 2 mm2的小尺寸封裝，為PCB布局布線提供了更高的靈活性。此外，該解決方案還具有出色的電氣性能，可進一步提高終端應用的功率密度，縮小外形尺寸。同時，系統溫度的降低、性能的提升，也讓熱管理變得更加輕松。這些特性有助于實現更小巧的客戶應用，充分節省空間、降低系統成本，打造易于設計的產品。
供貨情況
采用PQFN 2x2封裝的OptiMOSTM 5 25 V和30 V功率MOSFET產品系列現已上市：
· PQFN 2x2 25 V: 2 x 2 mm2, RDS(on) 2.4 m? (ISK024NE2LM5)
· PQFN 2x2 30 V: 2 x 2 mm2, RDS(on) 3.6 m? (ISK036N03LM5)
