泰科天潤：碳化硅快速切入各個領(lǐng)域，新能源或?qū)⒊蔀樽畲蟪砷L動力

電動化浪潮之下，各類包括碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）在內(nèi)的新材料及新型功率器件正突破傳統(tǒng)材料的限制，推動著電子電力技術(shù)發(fā)展。新能源汽車行業(yè)的蓬勃發(fā)展也給半導體芯片帶來機遇。去年開始受疫情影響，全球的半導體行業(yè)有些萎縮，但車規(guī)半導體市場在逆勢增長，尤其是SiC市場的倍速增長。這也得益于國內(nèi)半導體在第三代材料領(lǐng)域的深耕，為汽車廠商和主機廠提供了更多的選擇。正值全球缺芯潮演變之際，中國芯片原廠處在急劇變化的市場環(huán)境之中，需在機遇與挑戰(zhàn)里尋求突破。

SiC快速切入各個領(lǐng)域

SiC快速切入各應(yīng)用領(lǐng)域。電力電子技術(shù)是以電子（弱電）為手段去控制電力（強電）的技術(shù)，使電網(wǎng)的工頻電能最終轉(zhuǎn)換成不同性質(zhì)、不同用途的電能，以適應(yīng)不同用電裝臵的不同需求。秋琪認為，SiC適用于高頻、大功率，對功率密度要求比較高的電源方向，這基本上跟電力電子發(fā)展方向一致的，電源的發(fā)展將與SiC芯片的特性緊密結(jié)合。

今年是泰科天潤在SiC芯片領(lǐng)域深耕的第十年，泰科天潤的產(chǎn)品已經(jīng)廣泛運用于工業(yè)類如大功率LED電源、PC 電源、通信電源、光伏逆變器以及充電樁的充電模塊等，車載類的電源如OBC、 DCDC等，消費類例如PD快充。

本次參展，泰科天潤帶來了新型超薄款的SiC封裝產(chǎn)品，如SOD123、DFN5＊6、DFN8＊8等，這些新型產(chǎn)品相對傳統(tǒng)的TO貼片封裝，特點在于極薄，它的厚度只有1mm。DFN8＊8也沒有引腳，可以減少因器件封裝的寄生電感過大而導致的問題。而SOD123封裝的650V 1A產(chǎn)品更是泰科天潤全球首創(chuàng)最小的SiC二極管。這些超薄款的新型封裝非常適用于對體積要求非常嚴苛的電源應(yīng)用領(lǐng)域，以取代高電壓小電流的硅的Frd，解決其Trr的痛點問題。泰科天潤的SiC器件650V／2A－100A，1200V／2A－50A，1700V／5A －50A，3300V／0．6A－50A等系列的產(chǎn)品已經(jīng)投入批量生產(chǎn)，泰科天潤是國內(nèi)首家取得第三方AEC－Q101和DNV－USCG認證可靠性測試報告的SiC原廠，產(chǎn)品質(zhì)量達到了比肩國際同行業(yè)的先進水平。

圖：泰科天潤全球首創(chuàng)最小的SiC二極管

——650V 1A SOD12

受益于IDM模式，泰科天潤的SiC產(chǎn)品由4寸升級至6寸，產(chǎn)品的性價比得到大幅度提升。在今年7月份，泰科天潤6英寸SiC生產(chǎn)線通線，投片40工程批次以上，綜合良率90％以上，9月份完成可靠性實驗，批量化出貨。據(jù)秋琪介紹，在橫向同樣的量級下，泰科天潤的產(chǎn)品由4寸更新到6寸，性價比可以提高20％左右。

供需缺口持續(xù)，新能源或?qū)⒊蔀樽畲蟪砷L動力

由于SiC處于穩(wěn)定向上發(fā)展的趨勢，未來幾年內(nèi)供需缺口會持續(xù)存在。秋琪分析到，首先未來的電源方向是小型化、輕量化，講究高功率密度，新興領(lǐng)域如電動車必須使用SiC材料。其次，從4寸到6寸乃至未來的8寸，SiC成本下降從而下沉分割硅的市場，例如泰科天潤DFN8＊8等便是打入市場的一款SiC產(chǎn)品。

未來智能化最好的載體在新能源汽車，功率器件最強大的成長動力在新能源汽車。秋琪表示，在電動車里面需要大量的汽車電子和電氣的器件，它們對整機的總價值、尺寸、總量、動態(tài)性能、過載能力、耐用性 和可靠性起著十分重要的作用。硅基IGBT 作為主導型功率器件，在新能源車中應(yīng)用于電動控制系統(tǒng)、車載空調(diào)系統(tǒng)、充電樁逆變器三個子系 統(tǒng)中，約占整車成本的 7％－10％，是除電池以外成本第二高的元件，也是決定整車能源效率的關(guān)鍵器件。當下IGBT芯片發(fā)展到現(xiàn)在能耗進一步降低已經(jīng)變得非常困難，接下來人們更看好的是SiC另一方面，為了支持快充業(yè)務(wù)，以及支持更大功率密度、高可靠，需要功率器件具有更強的性能，基于SiC的新一代的汽車功率器件也將大放異彩。

IDM模式加速國產(chǎn)第三代半導體發(fā)展

國產(chǎn)從主打性價比的國產(chǎn)替代路線，逐漸跨入以SiC跨入硅市場的自主創(chuàng)新階段。秋琪分析到，在第三代半導體方面，國內(nèi)外差距沒有一、二代半導體明顯。她進一步解釋到，就SiC二極管這一類別來說，國內(nèi)外水平已經(jīng)持平；在SiC Mosfet方面，國內(nèi)外還有一些差距；在GaN方面，我國的GaN射頻設(shè)備市場規(guī)模正在持續(xù)增長，其主要支柱以及主要增長動力為軍備國防、無線通信基礎(chǔ)設(shè)施；在硅基GaN方面，如今主要應(yīng)用于消費充電頭，由于消費類對成本非常敏感，以及產(chǎn)品自身的技術(shù)門檻低于工業(yè)類與車載類，國內(nèi)外差距在不久之后將不再明顯。

當前SiC器件的發(fā)展方向明確，國內(nèi)原廠占據(jù)天時地利。對于國內(nèi)SiC環(huán)境，秋琪分析表示，在這兩年在中美貿(mào)易戰(zhàn)、國外疫情以及東南亞封裝廠的停工等外因擠壓下，早年間對國內(nèi)廠商持觀望態(tài)度的國外廠商逐漸敞開懷抱，同時本土客戶也持開放的態(tài)度與國內(nèi)原廠交流。另一方面，一些國外友商跟歐美車廠之間存在深度綁定，對其他客戶的供應(yīng)能力下降，國內(nèi)的標桿客戶由于供應(yīng)不夠，便會考慮包括國產(chǎn)SiC在內(nèi)的國產(chǎn)半導體。

IDM模式是泰科天潤很大的一個優(yōu)勢。泰科天潤總部坐落于北京，在北京和湖南分別擁有4英寸和6英寸SiC半導體工藝晶圓生產(chǎn)線。泰科天潤作為一個IDM公司，將設(shè)計與工藝整合達到使得產(chǎn)品最優(yōu)的結(jié)構(gòu)，最優(yōu)的良率。泰科天潤打通了與下游客戶的不斷磨合、挖掘用戶的使用痛點、能結(jié)合SiC材料的天然優(yōu)勢進行自主創(chuàng)新的道路。