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DDR5 內存缺貨原因曝光:電源管理芯片 PMIC 緊缺
三星成功研發LPDDR5X DRAM技術,運行速度最高8.5Gbps
三星宣布量產14納米EUV DDR5 DRAM
三星14納米EUV DDR5 DRAM正式量產
三星宣布2022年底前量產8層TSV技術堆疊的DDR5芯片,傳輸速度高達7.2Gbps
三星:正在開發 8 層 TSV 的 DDR5 內存模塊,容量達 DDR4 兩倍
瑞薩DDR5 I3C總線擴展和SPD集線器產品通過AMI固件認證
Longsys DDR5內存橫空出世,多項實測數據首次對公眾開放
瑞薩電子推出精密溫度傳感器 適用于DDR5存儲模塊
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